平成30年度(2018) 春期 問10 | 情報処理技術者試験 応用情報技術者
NAND型フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
選択肢 ア
バイト単位で書込み，ページ単位で読出しを行う。
選択肢 イ
バイト単位で書込み及び読出しを行う。
選択肢 ウ
ページ単位で書込み，バイト単位で読出しを行う。
選択肢 エ
ページ単位で書込み及び読出しを行う。
[出典：情報処理技術者試験 応用情報技術者 平成30年度(2018) 春期 問10]
解答
正解
エ
取組履歴
ログインすると履歴が残ります
解説
この問題は解説を募集しております。
ログインすると解説の投稿・編集が可能となります。
個人メモ（他のユーザーからは見えません）
メモを残すにはログインが必要です
コメント一覧
※ コメントには[ログイン]が必要です。