平成30年度(2018) 秋期 問10 | 情報処理技術者試験 応用情報技術者
相変化メモリの説明として,適切なものはどれか。
選択肢 ア
一度だけ書込みが可能な不揮発性メモリ
選択肢 イ
結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ
選択肢 ウ
フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ
選択肢 エ
リフレッシュ動作が必要な揮発性メモリ
[出典：情報処理技術者試験 応用情報技術者 平成30年度(2018) 秋期 問10]
解答
正解
イ
取組履歴
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